IXTT72N20 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTT72N20  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO268

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTT72N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTT72N20 даташит

 7.1. Size:112K  ixys
 ixtt72n10 ixth72n10.pdf pdf_icon

IXTT72N20

Advance Technical Information IXTH 72N20 VDSS = 200 V High Current IXTT 72N20 ID25 = 72 A Power MOSFET RDS(on) = 33 m N-Channel Enhancement Mode TO-247 AD (IXTH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 200 V VGS Continuous 20 V (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C72 A IDM TC =

 9.1. Size:579K  ixys
 ixth67n10 ixtm67n10 ixth75n10 ixtm75n10 ixtt75n10.pdf pdf_icon

IXTT72N20

VDSS ID25 RDS(on) MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 67N10 100 V 67 A 25 m IXTH / IXTM 75N10 100 V 75 A 20 m IXTT 75N10 N-Channel Enhancement Mode TO-247 AD (IXTH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB) VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 100 V TO-204 AE (IXTM) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30

 9.2. Size:170K  ixys
 ixtq74n20p ixtt74n20p.pdf pdf_icon

IXTT72N20

IXTQ 74N20P VDSS = 200 V PolarHTTM IXTT 74N20P ID25 = 74 A Power MOSFET RDS(on) 34 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-3P (IXTQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 200 V VGSS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V G D ID25 TC = 25 C74 A (TAB

 9.3. Size:583K  ixys
 ixth75n15 ixtt75n15.pdf pdf_icon

IXTT72N20

IXTH 75N15 VDSS = 150 V High Current IXTT 75N15 ID25 = 75 A Power MOSFET RDS(on) = 23 m N-Channel Enhancement Mode TO-247 AD (IXTH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 150 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 150 V VGS Continuous 20 V (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C75 A IDM TC = 25 C, pulse width limited by T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTT52N30P, IXTT60N10, IXTT60N20L2, IXTT64N25P, IXTT68P20T, IXTT69N30P, IXTT6N120, IXTT72N10, IRFB3607, IXTT74N20P, IXTT75N10, IXTT75N10L2, IXTT75N15, IXTT80N20L, IXTT82N25P, IXTT88N15, IXTT88N30P