3SK227 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3SK227

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 15 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.03 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 1.1 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 48 Ohm

Тип корпуса: MINI-TYPE

Аналог (замена) для 3SK227

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

3SK227 даташит

 ..1. Size:30K  panasonic
 3sk227.pdf pdf_icon

3SK227

High Frequency FETs 3SK227 3SK227 Silicon N-Channel 4-pin MOS Unit mm For VHF amplification +0.2 2.8 0.3 +0.2 0.65 0.15 1.5 0.3 0.65 0.15 Features Low noise-figure (NF) 0.5R 4 1 Large power gain PG Downsizing of sets by mini power package and automatic insertion by taping/magazine packing are available. 3 2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 0.4 0.2 Para

 9.1. Size:43K  1
 3sk222.pdf pdf_icon

3SK227

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 3SK222 RF AMPLIFIER FOR FM TUNER AND VHF TV TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD FEATURES PACKAGE DIMENSIONS The Characteristic of Cross-Modulation is good. (Unit mm) CM = 92 dB TYP. @ f = 200 MHz, GR = 30 dB 2.8+0.2 0.3 Low Noise Figure NF1 = 1.2 dB TYP. (f = 200 MHz) 1.5+0.2 0.1

 9.2. Size:43K  1
 3sk223.pdf pdf_icon

3SK227

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 3SK223 RF AMPLIFIER FOR CATV TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD FEATURES PACKAGE DIMENSIONS The Characteristic of Cross-Modulation is good. (Unit mm) CM = 101 dB TYP. @ f = 470 MHz, GR = 30 dB 2.8+0.2 0.3 Low Noise Figure NF1 = 2.2 dB TYP. (f = 470 MHz) 1.5+0.2 0.3 NF2 = 0.9 dB TYP

 9.3. Size:43K  1
 3sk224.pdf pdf_icon

3SK227

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 3SK224 RF AMPLIFIER FOR UHF TV TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD FEATURES PACKAGE DIMENSIONS Low Noise Figure NF = 1.8 dB TYP. (f = 900 MHz) (Unit mm) High Power Gain GPS = 17 dB TYP. (f = 900 MHz) 2.8+0.2 Suitable for use as RF amplifier in UHF TV tuner. 0.1 1.5+0.2 0.1 Auto

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 3SK194, 3SK202Q, 3SK202R, 3SK206, 3SK222, 3SK219, 3SK223, 3SK224, AO3401, 3SK37, 3SK38, 3SK38A, 3SK39, 3SK40, 3SK41, 3SK44, 3SK45