IXTU05N100 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTU05N100  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 710 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 17 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTU05N100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTU05N100 даташит

 9.1. Size:94K  ixys
 ixtp01n100d ixtu01n100d ixty01n100d.pdf pdf_icon

IXTU05N100

IXTP 01N100D VDSS = 1000 V High Voltage MOSFET IXTU 01N100D ID25 = 100 mA N-Channel, Depletion Mode IXTY 01N100D RDS(on) = 110 Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXTP) VDSX TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGX TJ = 25 C to 150 C 1000 V VGS Continuous 20 V D (TAB) G VGSM Transient 30 V D S IDSS TC = 25 C; TJ = 25 C to

 9.2. Size:66K  ixys
 ixtu01n80 ixty01n80.pdf pdf_icon

IXTU05N100

IXTU 01N80 VDSS = 800 V High Voltage MOSFET IXTY 01N80 ID25 = 100mA N-Channel, Enhancement Mode RDS(on) = 50 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-251 AA (IXTU) 01N100 VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V G VGS Continuous 20 V D D (TAB) S VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C; TJ = 25 C to 150 C 100 mA ID

 9.3. Size:94K  ixys
 ixtp02n50d ixtu02n50d ixty02n50d.pdf pdf_icon

IXTU05N100

IXTP 02N50D VDSS = 500 V High Voltage MOSFET IXTU 02N50D ID25 = 200 mA N-Channel, Depletion Mode IXTY 02N50D RDS(on) = 30 Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXTP) VDSX TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGX TJ = 25 C to 150 C 500 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V G D S IDSS TC = 25 C; TJ = 25 C to 150 C

 9.4. Size:85K  ixys
 ixtu01n100 ixty01n100.pdf pdf_icon

IXTU05N100

IXTU 01N100 VDSS = 1000 V High Voltage MOSFET IXTY 01N100 ID25 = 100mA N-Channel, Enhancement Mode RDS(on) = 80 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-251 AA (IXTU) 01N100 VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V G VGS Continuous 20 V D D (TAB) S VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C; TJ = 25 C to 150 C 100 mA IDM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTT88N15, IXTT88N30P, IXTT8P50, IXTT90P10P, IXTT96N15P, IXTT96N20P, IXTU01N100D, IXTU02N50D, 10N65, IXTU12N06T, IXTU1N80P, IXTU1R4N60P, IXTU2N80P, IXTU4N60P, IXTU5N50P, IXTV02N250S, IXTV03N400S