Справочник MOSFET. IXTU2N80P

 

IXTU2N80P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTU2N80P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 650 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для IXTU2N80P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTU2N80P Datasheet (PDF)

No PDF!

Другие MOSFET... IXTT96N15P , IXTT96N20P , IXTU01N100D , IXTU02N50D , IXTU05N100 , IXTU12N06T , IXTU1N80P , IXTU1R4N60P , 7N60 , IXTU4N60P , IXTU5N50P , IXTV02N250S , IXTV03N400S , IXTV102N20T , IXTV110N25TS , IXTV18N60P , IXTV18N60PS .

 

 
Back to Top

 


 
.