IXTU2N80P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTU2N80P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 650 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTU2N80P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTU2N80P даташит

No data!

Другие IGBT... IXTT96N15P, IXTT96N20P, IXTU01N100D, IXTU02N50D, IXTU05N100, IXTU12N06T, IXTU1N80P, IXTU1R4N60P, AO3407, IXTU4N60P, IXTU5N50P, IXTV02N250S, IXTV03N400S, IXTV102N20T, IXTV110N25TS, IXTV18N60P, IXTV18N60PS