Справочник MOSFET. IXTV26N60P

 

IXTV26N60P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTV26N60P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 460 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 72 nC
   trⓘ - Время нарастания: 500 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: PLUS220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTV26N60P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  ixys
 ixtt26n60p ixtv26n60p ixtv26n60ps ixth26n60p ixtq26n60p.pdf pdf_icon

IXTV26N60P

IXTH26N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTQ26N60P ID25 = 26 APower MOSFET IXTT26N60P RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement ModeIXTV26N60PAvalanche RatedTO-247 (IXTH)IXTV26N60PSGDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 V TO-3P (IXTQ)VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGSS Continuous 30 VVGSM Tran

 7.1. Size:338K  ixys
 ixtq26n50p ixtt26n50p ixtv26n50p.pdf pdf_icon

IXTV26N60P

IXTQ 26N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTT 26N50P ID25 = 26 APower MOSFET IXTV 26N50P RDS(on) 230 m IXTV 26N50PSN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-3P (IXTQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VDS D (TAB)VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VTO-268 (IXTT)VGSS Continuos 30 V

 9.1. Size:294K  ixys
 ixtv230n085ts.pdf pdf_icon

IXTV26N60P

Preliminary Technical InformationVDSS = 85 VIXTV230N085TTrenchMVTMID25 = 230 AIXTV230N085TSPower MOSFET RDS(on) 4.4 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS220 (IXTV)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 VGDD (TAB)S

 9.2. Size:294K  ixys
 ixtv250n075t.pdf pdf_icon

IXTV26N60P

Preliminary Technical InformationIXTV250N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTV250N075TS ID25 = 250 APower MOSFET RDS(on) 4.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS220 (IXTV)VDSS TJ = 25 C to 175 C75 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 VGDD (TAB)S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.