Справочник MOSFET. IXTV270N055T2S

 

IXTV270N055T2S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTV270N055T2S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 270 A
   trⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: PLUS220SMD
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTV270N055T2S Datasheet (PDF)

 9.1. Size:230K  ixys
ixtt26n60p ixtv26n60p ixtv26n60ps ixth26n60p ixtq26n60p.pdfpdf_icon

IXTV270N055T2S

IXTH26N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTQ26N60P ID25 = 26 APower MOSFET IXTT26N60P RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement ModeIXTV26N60PAvalanche RatedTO-247 (IXTH)IXTV26N60PSGDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 V TO-3P (IXTQ)VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGSS Continuous 30 VVGSM Tran

 9.2. Size:294K  ixys
ixtv230n085ts.pdfpdf_icon

IXTV270N055T2S

Preliminary Technical InformationVDSS = 85 VIXTV230N085TTrenchMVTMID25 = 230 AIXTV230N085TSPower MOSFET RDS(on) 4.4 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS220 (IXTV)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 VGDD (TAB)S

 9.3. Size:294K  ixys
ixtv250n075t.pdfpdf_icon

IXTV270N055T2S

Preliminary Technical InformationIXTV250N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTV250N075TS ID25 = 250 APower MOSFET RDS(on) 4.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS220 (IXTV)VDSS TJ = 25 C to 175 C75 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 VGDD (TAB)S

 9.4. Size:295K  ixys
ixtv280n055t.pdfpdf_icon

IXTV270N055T2S

Preliminary Technical InformationIXTV 280N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTV 280N055TS ID25 = 280 APower MOSFET RDS(on) 3.2 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS220 (IXTV)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient 20 VGDD (TAB)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: DMN601WK | KSO200P03S | 7N80G-TF3T-T | IRF5801PBF-1 | IRFSL4310ZPBF | SVT044R5NDTR | PHX3N40E

 

 
Back to Top

 


 
.