IXTV30N50PS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTV30N50PS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 460 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 400 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: PLUS220SMD

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTV30N50PS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTV30N50PS даташит

 4.1. Size:336K  ixys
 ixth30n50p ixtq30n50p ixtt30n50p ixtv30n50p.pdf pdf_icon

IXTV30N50PS

VDSS = 500 V IXTH 30N50P PolarHVTM ID25 = 30 A IXTQ 30N50P Power MOSFET RDS(on) 200 m IXTT 30N50P N-Channel Enhancement Mode IXTV 30N50P Avalanche Rated IXTV 30N50PS TO-247 AD (IXTH) (TAB) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-3P (IXTQ) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGSS Continuo

 7.1. Size:352K  ixys
 ixth30n60p ixtq30n60p ixtt30n60p ixtv30n60p.pdf pdf_icon

IXTV30N50PS

 7.2. Size:392K  ixys
 ixth30n60p ixtq30n60p ixtt30n60p ixtv30n60p ixtv30n60ps.pdf pdf_icon

IXTV30N50PS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTV26N50PS, IXTV26N60P, IXTV26N60PS, IXTV270N055T2, IXTV270N055T2S, IXTV280N055T, IXTV280N055TS, IXTV30N50P, AO4407A, IXTV30N60P, IXTV30N60PS, IXTV36N50P, IXTV36N50PS, IXTV86N25T, IXTV96N25T, IXTX110N20L2, IXTX170P10P