Справочник MOSFET. IXTX17N120L

 

IXTX17N120L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTX17N120L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 700 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 270 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 1830 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: PLUS247
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTX17N120L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:88K  ixys
 ixtk17n120l ixtx17n120l.pdf pdf_icon

IXTX17N120L

Advance Technical InformationIXTK17N120L VDSS = 1200 VLinear Power MOSFETIXTX17N120L ID25 = 17 AWith Extended FBSOA RDS(on) 0.99 N-Channel Enhancement ModeTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1200 VGDVGS Continuous 30 VS(TAB)VGSM Transient

 8.1. Size:177K  ixys
 ixtk170p10p ixtx170p10p.pdf pdf_icon

IXTX17N120L

PolarPTM VDSS = -100V IXTK170P10PID25 = -170APower MOSFET IXTX170P10P RDS(on) 12m P-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C -100 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M -100 V GD (TAB)SVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C -1

 9.1. Size:178K  ixys
 ixtk120p20t ixtx120p20t.pdf pdf_icon

IXTX17N120L

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 200VIXTK120P20TPower MOSFETs ID25 = - 120AIXTX120P20T RDS(on) 30m trr 300nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C - 200 V DSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS

 9.2. Size:159K  ixys
 ixtk120n65x2 ixtx120n65x2.pdf pdf_icon

IXTX17N120L

Advance Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTK120N65X2Power MOSFET ID25 = 120AIXTX120N65X2 RDS(on) 24m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264P (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 650 VDTabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 V SVGSS Continuous 30 VPLUS247 (IX

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTV30N60P , IXTV30N60PS , IXTV36N50P , IXTV36N50PS , IXTV86N25T , IXTV96N25T , IXTX110N20L2 , IXTX170P10P , 20N60 , IXTX200N10L2 , IXTX20N140 , IXTX22N100L , IXTX24N100 , IXTX32P60P , IXTX40P50P , IXTX46N50L , IXTX550N055T2 .

History: ME7607-G

 

 
Back to Top

 


 
.