IXTY01N100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXTY01N100
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 1500 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 80 Ohm
Тип корпуса: TO252AA
Аналог (замена) для IXTY01N100
IXTY01N100 Datasheet (PDF)
ixtu01n100 ixty01n100.pdf

IXTU 01N100VDSS = 1000 VHigh Voltage MOSFETIXTY 01N100ID25 = 100mAN-Channel, Enhancement ModeRDS(on) = 80 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-251 AA (IXTU)01N100VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VGVGS Continuous 20 VDD (TAB)SVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C; TJ = 25C to 150C 100 mAIDM
ixtp01n100d ixtu01n100d ixty01n100d.pdf

IXTP 01N100DVDSS = 1000 VHigh Voltage MOSFETIXTU 01N100DID25 = 100 mAN-Channel, Depletion ModeIXTY 01N100DRDS(on) = 110 Preliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSX TJ = 25C to 150C 1000 VVDGX TJ = 25C to 150C 1000 VVGS Continuous 20 VD (TAB)GVGSM Transient 30 VDSIDSS TC = 25C; TJ = 25C to
ixtu01n80 ixty01n80.pdf

IXTU 01N80VDSS = 800 VHigh Voltage MOSFETIXTY 01N80ID25 = 100mAN-Channel, Enhancement ModeRDS(on) = 50 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-251 AA (IXTU)01N100VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VGVGS Continuous 20 VDD (TAB)SVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C; TJ = 25C to 150C 100 mAID
ixty08n100d2-ixta08n100d2-ixtp08n100d2.pdf

Preliminary Technical InformationDepletion Mode VDSX = 1000VIXTY08N100D2MOSFET ID(on) > 800mAIXTA08N100D2 RDS(on) 21 IXTP08N100D2N-ChannelTO-252 (IXTY)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 AA (IXTA)VDSX TJ = 25C to 150C 1000 VVGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGSPD TC = 25C60 WD (Tab)TJ -
Другие MOSFET... IXTX46N50L , IXTX550N055T2 , IXTX5N250 , IXTX600N04T2 , IXTX60N50L2 , IXTX8N150L , IXTX90N25L2 , IXTX90P20P , IRFB4227 , IXTY01N100D , IXTY01N80 , IXTY02N120P , IXTY02N50D , IXTY05N100 , IXTY08N100D2 , IXTY08N100P , IXTY08N50D2 .
History: CEM4042 | IPB80N04S4-04 | 30N20 | SWN4N65DD | STP10NM60ND | SM4025PSU | AP2328GN
History: CEM4042 | IPB80N04S4-04 | 30N20 | SWN4N65DD | STP10NM60ND | SM4025PSU | AP2328GN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sa794 | 2sa816 | 2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor