Справочник MOSFET. IXTY05N100

 

IXTY05N100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTY05N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
   trⓘ - Время нарастания: 710 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 17 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTY05N100 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:177K  ixys
ixty08n100d2-ixta08n100d2-ixtp08n100d2.pdfpdf_icon

IXTY05N100

Preliminary Technical InformationDepletion Mode VDSX = 1000VIXTY08N100D2MOSFET ID(on) > 800mAIXTA08N100D2 RDS(on) 21 IXTP08N100D2N-ChannelTO-252 (IXTY)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 AA (IXTA)VDSX TJ = 25C to 150C 1000 VVGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VGSPD TC = 25C60 WD (Tab)TJ -

 9.2. Size:270K  ixys
ixty08n100d2 ixta08n100d2 ixtp08n100d2.pdfpdf_icon

IXTY05N100

Depletion Mode VDSX = 1000VIXTY08N100D2MOSFET ID(on) > 800mAIXTA08N100D2 RDS(on) 21 IXTP08N100D2N-ChannelDTO-252 (IXTY)GSGD (Tab)STO-263 AA (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSX TJ = 25C to 150C 1000 VSD (Tab)VGSX Continuous 20 VVGSM Transient 30 VTO-220AB (IXTP)PD TC = 25C60 WTJ

 9.3. Size:94K  ixys
ixtp01n100d ixtu01n100d ixty01n100d.pdfpdf_icon

IXTY05N100

IXTP 01N100DVDSS = 1000 VHigh Voltage MOSFETIXTU 01N100DID25 = 100 mAN-Channel, Depletion ModeIXTY 01N100DRDS(on) = 110 Preliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSX TJ = 25C to 150C 1000 VVDGX TJ = 25C to 150C 1000 VVGS Continuous 20 VD (TAB)GVGSM Transient 30 VDSIDSS TC = 25C; TJ = 25C to

 9.4. Size:66K  ixys
ixtu01n80 ixty01n80.pdfpdf_icon

IXTY05N100

IXTU 01N80VDSS = 800 VHigh Voltage MOSFETIXTY 01N80ID25 = 100mAN-Channel, Enhancement ModeRDS(on) = 50 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-251 AA (IXTU)01N100VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VGVGS Continuous 20 VDD (TAB)SVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C; TJ = 25C to 150C 100 mAID

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.