Справочник MOSFET. IXTY2N80P

 

IXTY2N80P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTY2N80P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 650 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: TO252AA
 

 Аналог (замена) для IXTY2N80P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTY2N80P Datasheet (PDF)

 8.1. Size:183K  ixys
 ixtp2n65x2 ixty2n65x2.pdf pdf_icon

IXTY2N80P

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY2N65X2Power MOSFET ID25 = 2AIXTP2N65X2 RDS(on) 2.3 N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VTO-220 (IXTP)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient

 9.1. Size:90K  ixys
 ixtp2r4n50p ixty2r4n50p.pdf pdf_icon

IXTY2N80P

IXTP 2R4N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTY 2R4N50P ID25 = 2.4 APower MOSFET RDS(on) 3.75 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VVGSM Transient 40 V(TAB)GVGSM Continuous 30 V DSID25 TC = 25C 2.4 A

Другие MOSFET... IXTY1R4N100P , IXTY1R4N60P , IXTY1R6N100D2 , IXTY1R6N50D2 , IXTY1R6N50P , IXTY26P10T , IXTY2N100P , IXTY2N60P , TK10A60D , IXTY2R4N50P , IXTY32P05T , IXTY3N50P , IXTY3N60P , IXTY44N10T , IXTY48P05T , IXTY4N60P , IXTY50N085T .

 

 
Back to Top

 


 
.