Справочник MOSFET. MMIX1T600N04T2

 

MMIX1T600N04T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMIX1T600N04T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 600 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 590 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0013 Ohm
 

 Аналог (замена) для MMIX1T600N04T2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMIX1T600N04T2 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:240K  ixys
 mmix1y82n120c3h1.pdf pdf_icon

MMIX1T600N04T2

Preliminary Technical Information1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VMMIX1Y82N120C3H1GenX3TM w/ Diode IC110 = 36A VCE(sat) 3.4V (Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 93nsHigh-Speed IGBTCfor 20-50 kHz SwitchingGSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VEVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous 20 V

 9.2. Size:243K  ixys
 mmix1x200n60b3h1.pdf pdf_icon

MMIX1T600N04T2

Preliminary Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IGBT MMIX1X200N60B3H1IC110 = 72AGenX3TM w/Diode VCE(sat) 1.7V (Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 110nsExtreme Light Punch ThroughCIGBT for 10-30kHz SwitchingGSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VEVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Conti

 9.3. Size:258K  ixys
 mmix1b20n300c.pdf pdf_icon

MMIX1T600N04T2

Advance Technical InformationHigh Voltage,VCES = 3000VMMIX1B20N300CHigh Frequency,IC110 = 20ABiMOSFETTM MonolithicVCE(sat) 6.0VBipolar MOS Transistor(Electrically Isolated Tab)CGSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 3000 VEVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 3000 VVGES Continuous 20 V Isolated TabVGEM Tr

 9.4. Size:241K  ixys
 mmix1x340n65b4.pdf pdf_icon

MMIX1T600N04T2

Advance Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBT MMIX1X340N65B4IC90 = 295AGenX4TM VCE(sat) 1.7V tfi(typ) = 80nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingCGE Maximum Ratingsymbol Test ConditionsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXUV170N075 , IXUV170N075S , LKK47-06C5 , MKE11R600DCGFC , FCH110N65F , FCP110N65F , MMIX1F520N075T2 , MMIX1T550N055T2 , SKD502T , VBH40-05B , VHM40-06P1 , VKM40-06P1 , VKM60-01P1 , VMK165-007T , VMK90-02T2 , VMM1500-0075X2 , VMM300-03F .

 

 
Back to Top

 


 
.