VHM40-06P1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VHM40-06P1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: ECOPAC2
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
VHM40-06P1 Datasheet (PDF)
vhm40-06p1.pdf

VHM 40-06P1ID25 = 38 ACoolMOS Power MOSFETVDSS = 600 Vin ECO-PAC 2RDSon = 70 mN-Channel Enhancement Mode1)Low RDSon, High VDSS MOSFETPackage with Electrically Isolated BaseL 4Preliminary dataL 6K 12L 9P 18F 10R 18NTCX 15K 10K 13T 18Pin arrangement see outlinesV 18X 18ApplicationsMOSFET ECO-PAC 2 with DCB BaseSymbol Conditions Maxim
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: IRC832-008 | AO6804A | IRFBA22N50A | GSM4510S | WMJ38N60C2 | NTD4805N | JCS7N60FB
History: IRC832-008 | AO6804A | IRFBA22N50A | GSM4510S | WMJ38N60C2 | NTD4805N | JCS7N60FB



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet