VKM60-01P1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: VKM60-01P1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 180 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: ECOPAC2
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам