Справочник MOSFET. VMM45-02F

 

VMM45-02F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VMM45-02F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO240AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VMM45-02F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:37K  ixys
 vmm45-02f.pdf pdf_icon

VMM45-02F

VDSS = 200 VVMM 45-02FDual PowerID25 = 45 AHiPerFETTM ModuleRDS(on) = 45 mWPhaseleg ConfigurationHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family6TO-240 AA 312451542Preliminary Data631 = Drain 1 2 = Source 1, Drain 23 = Source 2 4 = Kelvin Source 15 = Gate 1 6 = Gate 2Symbol Conditions Maximum Ratings FeaturesVDSS TJ = 25C to 150C 200 V Two MOSFET's

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXTT16N10D2 | SIHG47N60S | BRD3N25 | 9N95 | AUIRFB3607 | FTP07N60 | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.