VWM270-0075X2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VWM270-0075X2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 270 A
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
Тип корпуса: V2PACK
Аналог (замена) для VWM270-0075X2
VWM270-0075X2 Datasheet (PDF)
vwm270-0075x2.pdf

VWM 270-0075X2VDSS = 75 VThree phase full bridgeID25 = 270 Awith Trench MOSFETsRDS(on) = 2.1 mL+G3 G5T1 T3 T5G1S3S5S1L1L2L3G4 G6T2 T4 T6G2S4S6S2L-ApplicationsMOSFET T1 - T6AC drivesSymbol Conditions Maximum Ratings in automobilesVDSS TVJ = 25C to 150C 75 V - electric power steering VGS 20 V - starter generator in indu
Другие MOSFET... VMM85-02F , VMM90-09F , VMO1200-01F , VMO1600-02P , VMO550-01F , VMO580-02F , VMO60-05F , VMO650-01F , RU7088R , 2N7002BK , 2N7002BKM , 2N7002BKS , 2N7002BKT , 2N7002BKV , 2N7002BKW , 2N7002CK , 2N7002F .
History: PJU3NA80 | IRF7805QPBF | BRCS030N10SHBD | IXTH10N100D | NP80N03MLE
History: PJU3NA80 | IRF7805QPBF | BRCS030N10SHBD | IXTH10N100D | NP80N03MLE



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet