BF1118W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: BF1118W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 3 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 7 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.01 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 23.3 Ohm
   Тип корпуса: SOT343N
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам