BLF177. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLF177

Тип транзистора: LDMOS

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SOT121B

Аналог (замена) для BLF177

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLF177 даташит

 ..1. Size:96K  philips
blf177 cnv 2.pdfpdf_icon

BLF177

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BLF177 HF/VHF power MOS transistor September 1992 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC08a Philips Semiconductors Product specification HF/VHF power MOS transistor BLF177 FEATURES PIN CONFIGURATION High power gain Low intermodulation distortion 14 andbook, halfpage Easy power control Good thermal stability

 ..2. Size:117K  philips
blf177.pdfpdf_icon

BLF177

 ..3. Size:314K  philips
blf177 n.pdfpdf_icon

BLF177

BLF177 HF/VHF power MOS transistor Rev. 06 24 January 2007 Product data sheet IMPORTANT NOTICE Dear customer, As from October 1st, 2006 Philips Semiconductors has a new trade name - NXP Semiconductors, which will be used in future data sheets together with new contact details. In data sheets where the previous Philips references remain, please use the new links as shown below. htt

 9.1. Size:132K  philips
blf175.pdfpdf_icon

BLF177

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D065 BLF175 HF/VHF power MOS transistor Product specification 2003 Jul 22 Supersedes data of 1997 Dec 15 Philips Semiconductors Product specification HF/VHF power MOS transistor BLF175 FEATURES PIN CONFIGURATION High power gain Low intermodulation distortion Easy power control Good thermal stability ook, halfpage Withstands

Другие IGBT... BLD6G21LS-50, BLD6G22L-50, BLD6G22LS-50, BLF1043, BLF1046, BLF145, BLF147, BLF175, AON7506, BLF178P, BLF202, BLF2043F, BLF242, BLF2425M7L250P, BLF2425M7LS250P, BLF244, BLF245