Справочник MOSFET. BLF544

 

BLF544 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLF544
   Тип транзистора: LDMOS
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 28 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm
   Тип корпуса: SOT171A
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BLF544 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:96K  philips
blf544.pdfpdf_icon

BLF544

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D076BLF544UHF power MOS transistorProduct specification 2003 Sep 18Supersedes data of 1998 Jan 21Philips Semiconductors Product specificationUHF power MOS transistor BLF544FEATURES PINNING - SOT171A High power gainPIN DESCRIPTION Easy power control1 source Good thermal stability2 source Gold metallization ensures ex

 ..2. Size:94K  philips
blf544 cnv 2.pdfpdf_icon

BLF544

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D076BLF544UHF power MOS transistor1998 Jan 21Product specificationSupersedes data of October 1992Philips Semiconductors Product specificationUHF power MOS transistor BLF544FEATURES PINNING - SOT171A High power gainPIN SYMBOL DESCRIPTION Easy power control1 s source Good thermal stability2 s source Gold metallizati

 0.1. Size:75K  philips
blf544b cnv 2.pdfpdf_icon

BLF544

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLF544BUHF push-pull power MOStransistorOctober 1992Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF push-pull power MOS transistor BLF544BFEATURES PIN CONFIGURATION High power gain Easy power control Good thermal stability Gold metallization ensureslfpageexcellent reliability 24d2 Designed fo

 9.1. Size:93K  philips
blf548 cnv 3.pdfpdf_icon

BLF544

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBLF548UHF push-pull power MOStransistorOctober 1992Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationUHF push-pull power MOS transistor BLF548FEATURES PIN CONFIGURATION High power gain Easy power control Good thermal stability Gold metallization ensuresexcellent reliability1 2halfpage d2 Designed f

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FTK50N06 | WMO25N10T1 | 7N60H | HAT2220R

 

 
Back to Top

 


 
.