BLF6G10LS-135RN. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BLF6G10LS-135RN
Тип транзистора: LDMOS
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 28 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: SOT502B
Аналог (замена) для BLF6G10LS-135RN
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BLF6G10LS-135RN даташит
blf6g10-135rn blf6g10ls-135rn.pdf
BLF6G10-135RN; BLF6G10LS-135RN Power LDMOS transistor Rev. 02 21 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 135 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 1000 MHz. Table 1. Typical performance Typical RF performance at Tcase = 25 C in a class-AB production test circuit. Mode of operation f VDS PL(AV) G
blf6g10-160rn blf6g10ls-160rn.pdf
BLF6G10-160RN; BLF6G10LS-160RN Power LDMOS transistor Rev. 02 21 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 160 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 1000 MHz. Table 1. Typical performance Typical RF performance at Tcase = 25 C in a class-AB production test circuit. Mode of operation f VDS PL(AV) G
blf6g10-200rn blf6g10ls-200rn.pdf
BLF6G10-200RN; BLF6G10LS-200RN Power LDMOS transistor Rev. 02 21 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 200 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 1000 MHz. Table 1. Typical performance Typical RF performance at Tcase = 25 C in a class-AB production test circuit. Mode of operation f VDS PL(AV) G
Другие IGBT... BLF645, BLF647, BLF6G10-135RN, BLF6G10-160RN, BLF6G10-200RN, BLF6G10-45, BLF6G10L-260PRN, BLF6G10L-40BRN, MMIS60R580P, BLF6G10LS-160RN, BLF6G10LS-200RN, BLF6G10LS-260PRN, BLF6G10S-45, BLF6G13L-250P, BLF6G13LS-250P, BLF6G15L-250PBRN, BLF6G15L-40BRN
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent



