BSS84AKW - описание и поиск аналогов

 

BSS84AKW. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSS84AKW

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm

Тип корпуса: SC70

Аналог (замена) для BSS84AKW

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSS84AKW даташит

 ..1. Size:1421K  nxp
bss84akw.pdfpdf_icon

BSS84AKW

BSS84AKW 50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFET Rev. 1 23 May 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible ESD protection up to 1 kV Very fast switchin

 7.1. Size:1030K  nxp
bss84akmb.pdfpdf_icon

BSS84AKW

BSS84AKMB 50 V, single P-channel Trench MOSFET Rev. 1 6 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible ElectroStatic Di

 7.2. Size:1426K  nxp
bss84akv.pdfpdf_icon

BSS84AKW

BSS84AKV 50 V, 170 mA dual P-channel Trench MOSFET Rev. 1 19 May 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible ESD protection up to

 7.3. Size:1420K  nxp
bss84ak.pdfpdf_icon

BSS84AKW

BSS84AK 50 V, 180 mA P-channel Trench MOSFET Rev. 1 23 May 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible ESD protection up to 1 kV Very fast switc

Другие MOSFET... BSS138PW , BSS192 , BSS83 , BSS84AK , BSS84AKM , BSS84AKS , BSS84AKT , BSS84AKV , IRFB31N20D , BSS87 , BST82 , BUK6207-55C , BUK6209-30C , BUK6210-55C , BUK6211-75C , BUK6212-40C , BUK6213-30A .

History: MTP6P20E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.