BUK7535-100A - аналоги, параметры транзистора

BUK7535-100A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK7535-100A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 149 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для BUK7535-100A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

BUK7535-100A даташит

..1. Size:337K philips
buk7535-100a buk7635-100a.pdf pdf_icon

6.1. Size:52K philips
buk7535-55 2.pdf pdf_icon

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7535-55 Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 V trench technology. The device ID Drain current (DC) 34 A features very low on-state

6.2. Size:313K philips
buk7535-55a buk7635-55a.pdf pdf_icon

BUK7535-55A; BUK7635-55A TrenchMOS standard level FET Rev. 01 10 November 2000 Product specification 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance. Product availability BUK7535-55A in SOT78 (TO-220AB) BUK7635-55A in SOT404 (D 2-PAK). 2. Features TrenchMOS te

7.1. Size:302K philips
buk7535 buk7635 55a-01.pdf pdf_icon

Другие IGBT... BUK7520-100A, BUK7520-55A, BUK7523-75A, BUK7526-100B, BUK7528-100A, BUK7528-55A, BUK752R3-40C, BUK752R7-30B, RU7088R, BUK7535-55A, BUK753R1-40B, BUK753R4-30B, BUK7540-100A, BUK754R0-40C, BUK754R0-55B, BUK754R3-40B, BUK754R3-75C

🌐 : EN ES РУ

Список транзисторов

Обновления

BUK7535-100A - описание и поиск аналогов