BUK7C10-75AITE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK7C10-75AITE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для BUK7C10-75AITE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK7C10-75AITE даташит

No data!

Другие IGBT... BUK7907-55AIE, BUK7907-55ATE, BUK7908-40AIE, BUK7909-75AIE, BUK7909-75ATE, BUK794R1-40BT, BUK7C06-40AITE, BUK7C08-55AITE, BS170, BUK7E04-40A, BUK7E07-55B, BUK7E11-55B, BUK7E2R3-40C, BUK7E2R7-30B, BUK7E4R3-75C, BUK7L06-34ARC, BUK7L11-34ARC