Биполярный транзистор 26DB080D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 26DB080D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 37 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Корпус транзистора: X240
Другие транзисторы... 182T2 , 182T2A , 182T2C , 183T2 , 184T2 , 185T2 , 193DT2 , 25DB070D , 2SC5200 , 27925 , 28025 , 2A847 , 2C111 , 2C1893 , 2C2222A , 2C2222AKB , 2C2857 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050