Биполярный транзистор 26DB080D Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 26DB080D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 37 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Корпус транзистора: X240
     - подбор биполярного транзистора по параметрам