2SB404. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB404

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2SB404

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB404 даташит

 9.1. Size:203K  inchange semiconductor
 2sb407.pdf pdf_icon

2SB404

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB407 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -30V(Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = -1.0V(Max.) @I = -6A CE(sat) C Wide area of safe operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие транзисторы: 2SB397, 2SB398, 2SB399, 2SB40, 2SB400, 2SB401, 2SB402, 2SB403, 2SC2655, 2SB405, 2SB405K, 2SB405ST, 2SB406, 2SB407, 2SB408, 2SB409, 2SB41