Биполярный транзистор 2SB410 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2SB410
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 135 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.2 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам