Биполярный транзистор 2SB411S Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2SB411S
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 11 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам