Биполярный транзистор 2SB43A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB43A
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO1
2SB43A Datasheet (PDF)
2sb435.pdf
2SB435 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORLOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER TO-220 Complement to 2SD235ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)ACharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -50 V Collector-Emitter Voltage VCEO -40 V Emitter-Base voltage VEBO -5 V Collector Current (DC) IC -3 A Collector Dissipation (Tc=25 PC 25 W Junc
2sb434.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB434DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -50V(Min)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = -1.2V(Max.) @I = -3ACE(sat) CComplement to Type 2SD234Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier applications.ABSOLUTE
2sb435.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB435DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -50V(Min)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = -1.0V(Max.) @I = -1ACE(sat) CComplement to Type 2SD235Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifier applications.ABSOLUTE
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
