2SB443. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB443

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO1

 Аналоги (замена) для 2SB443

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB443 даташит

 9.1. Size:203K  inchange semiconductor
 2sb449.pdf pdf_icon

2SB443

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB449 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -50V(Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = -0.7V(Max.) @I = -3A CE(sat) C Wide area of safe operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier,switching and DC-DC converters appl

Другие транзисторы: 2SB438, 2SB439, 2SB43A, 2SB44, 2SB440, 2SB441, 2SB442, 2SB442H, TIP31C, 2SB443A, 2SB443B, 2SB444, 2SB444A, 2SB444B, 2SB444H, 2SB445, 2SB446