2SB460A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB460A

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: TO1

 Аналоги (замена) для 2SB460A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB460A даташит

 9.1. Size:208K  inchange semiconductor
 2sb468.pdf pdf_icon

2SB460A

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB468 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -90V(Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = -0.7V(Max.) @I = -3A CE(sat) C Wide area of safe operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for TV horizontal deflection power output applications.

Другие транзисторы: 2SB457A, 2SB457B, 2SB458, 2SB458A, 2SB458B, 2SB459, 2SB46, 2SB460, C3198, 2SB460B, 2SB461, 2SB462, 2SB463, 2SB463B, 2SB463R, 2SB463Y, 2SB464