2SB468. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB468

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 32 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SB468

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB468 даташит

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
 2sb468.pdf pdf_icon

2SB468

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB468 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -90V(Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = -0.7V(Max.) @I = -3A CE(sat) C Wide area of safe operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for TV horizontal deflection power output applications.

Другие транзисторы: 2SB463, 2SB463B, 2SB463R, 2SB463Y, 2SB464, 2SB465, 2SB466, 2SB467, NJW0281G, 2SB468A, 2SB47, 2SB470, 2SB471, 2SB471A, 2SB471B, 2SB472, 2SB472A