Биполярный транзистор 2SB470 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2SB470
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.08 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: TO1
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам