Справочник транзисторов. 2SB507C

 

Биполярный транзистор 2SB507C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB507C
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для 2SB507C

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB507C Datasheet (PDF)

 8.1. Size:112K  mospec
2sb507.pdfpdf_icon

2SB507C

AAA

 8.2. Size:158K  jmnic
2sb507.pdfpdf_icon

2SB507C

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB507 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD313 Low collector saturation voltage APPLICATIONS Designed for the output stage of 15W to 25W AF power amplifier PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol3 Base

 8.3. Size:236K  lge
2sb507.pdfpdf_icon

2SB507C

2SB507(PNP) TO-220 TransistorTO-2201. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 21Features Low Collector-Emitter Saturation Voltage Vce(sat)=-1V(MAX)@IC=-2A,IB=-0.2A DC Current Gain hFE=40~320@IC=-1A Complementray to NPN 2SD313 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Dimensions in inches and (millimeters)Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base V

 8.4. Size:221K  inchange semiconductor
2sb507.pdfpdf_icon

2SB507C

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB507DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -60V(Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = -1.0V(Max) @I = -2.0ACE(sat) CComplement to Type 2SD313Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for the output stage of 15W to 25W AF poweramplif

Другие транзисторы... 2SB503 , 2SB503A , 2SB504 , 2SB504A , 2SB505 , 2SB506 , 2SB506A , 2SB507 , BC548 , 2SB507D , 2SB507E , 2SB507F , 2SB508 , 2SB508C , 2SB508D , 2SB508E , 2SB508F .

History: 2SC5444 | KT8154A

 

 
Back to Top

 


 
.