2SB507F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB507F

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SB507F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB507F даташит

 8.1. Size:112K  mospec
 2sb507.pdf pdf_icon

2SB507F

A A A

 8.2. Size:158K  jmnic
 2sb507.pdf pdf_icon

2SB507F

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB507 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD313 Low collector saturation voltage APPLICATIONS Designed for the output stage of 15W to 25W AF power amplifier PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol 3 Base

 8.3. Size:236K  lge
 2sb507.pdf pdf_icon

2SB507F

2SB507(PNP) TO-220 Transistor TO-220 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 2 1 Features Low Collector-Emitter Saturation Voltage Vce(sat)=-1V(MAX)@IC=-2A,IB=-0.2A DC Current Gain hFE=40 320@IC=-1A Complementray to NPN 2SD313 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Dimensions in inches and (millimeters) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base V

 8.4. Size:221K  inchange semiconductor
 2sb507.pdf pdf_icon

2SB507F

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB507 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -60V(Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = -1.0V(Max) @I = -2.0A CE(sat) C Complement to Type 2SD313 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for the output stage of 15W to 25W AF power amplif

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB504A, 2SB505, 2SB506, 2SB506A, 2SB507, 2SB507C, 2SB507D, 2SB507E, TIP31C, 2SB508, 2SB508C, 2SB508D, 2SB508E, 2SB508F, 2SB509, 2SB51, 2SB510