Справочник транзисторов. 2SB521-2

 

Биполярный транзистор 2SB521-2 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SB521-2
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 43 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 85 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 85 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3.5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SB521-2

 

 

2SB521-2 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:183K  inchange semiconductor
2sb521.pdf

2SB521-2
2SB521-2

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB521DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -60V(Min)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = -0.4V(Max.) @I = -3ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

 9.1. Size:167K  inchange semiconductor
2sb522.pdf

2SB521-2
2SB521-2

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB522DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -60V(Min)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = -0.4V(Max.) @I = -3ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

 9.2. Size:217K  inchange semiconductor
2sb526.pdf

2SB521-2
2SB521-2

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB526DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SD356Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for AF high power dirver applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

 9.3. Size:178K  inchange semiconductor
2sb520.pdf

2SB521-2
2SB521-2

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB520DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -140V(Min)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = -1.0V(Max.) @I = -7ACE(sat) CWide area of safe operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose switching a

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top