Справочник транзисторов. 2SB522

 

Биполярный транзистор 2SB522 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB522
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 43 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3.5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для 2SB522

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB522 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  inchange semiconductor
 2sb522.pdf pdf_icon

2SB522

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB522DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -60V(Min)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = -0.4V(Max.) @I = -3ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

 9.1. Size:183K  inchange semiconductor
 2sb521.pdf pdf_icon

2SB522

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB521DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -60V(Min)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = -0.4V(Max.) @I = -3ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

 9.2. Size:217K  inchange semiconductor
 2sb526.pdf pdf_icon

2SB522

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB526DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SD356Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for AF high power dirver applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

 9.3. Size:178K  inchange semiconductor
 2sb520.pdf pdf_icon

2SB522

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB520DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -140V(Min)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = -1.0V(Max.) @I = -7ACE(sat) CWide area of safe operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose switching a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SB519-2 , 2SB52 , 2SB520 , 2SB520-1 , 2SB520-2 , 2SB521 , 2SB521-1 , 2SB521-2 , D965 , 2SB522-1 , 2SB522-2 , 2SB523 , 2SB524 , 2SB525 , 2SB526 , 2SB527 , 2SB528 .

History: NB212FJ | FHA13009A-H2 | TMPA813S3 | 2SD976 | 3N74

 

 
Back to Top

 


 
.