Справочник транзисторов. 2SB528

 

Биполярный транзистор 2SB528 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB528
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 130 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для 2SB528

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB528 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:183K  inchange semiconductor
2sb521.pdfpdf_icon

2SB528

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB521DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -60V(Min)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = -0.4V(Max.) @I = -3ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

 9.2. Size:167K  inchange semiconductor
2sb522.pdfpdf_icon

2SB528

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB522DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -60V(Min)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = -0.4V(Max.) @I = -3ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

 9.3. Size:217K  inchange semiconductor
2sb526.pdfpdf_icon

2SB528

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB526DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SD356Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for AF high power dirver applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

 9.4. Size:178K  inchange semiconductor
2sb520.pdfpdf_icon

2SB528

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB520DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -140V(Min)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = -1.0V(Max.) @I = -7ACE(sat) CWide area of safe operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose switching a

Другие транзисторы... 2SB522 , 2SB522-1 , 2SB522-2 , 2SB523 , 2SB524 , 2SB525 , 2SB526 , 2SB527 , 2SA1015 , 2SB529 , 2SB53 , 2SB530 , 2SB531 , 2SB532 , 2SB533 , 2SB534 , 2SB535 .

 

 
Back to Top

 


 
.