Справочник транзисторов. 2SB546

 

Биполярный транзистор 2SB546 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SB546
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SB546

 

 

2SB546 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:108K  mospec
2sb546 2sb546a.pdf

2SB546
2SB546

AAA

 ..2. Size:199K  jmnic
2sb546.pdf

2SB546
2SB546

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB546 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD401 Collector current IC=-2A Collector-base voltage VCBO=-200V APPLICATIONS For use in general purpose power amplifier,vertical output application PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplifi

 ..3. Size:215K  inchange semiconductor
2sb546.pdf

2SB546
2SB546

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB546DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -150V (Min)(BR)CEOCollector Power Dissipation-: P = 30W(Max)@ T = 25C CComplement to Type 2SD401Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in line-operated color TV vertical deflectionof complementar

 0.2. Size:251K  jmnic
2sb546a.pdf

2SB546
2SB546

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB546A DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD401A Collector current IC=-2A Collector-base voltage VCBO=-200V APPLICATIONS For use in general purpose power amplifier,vertical output application PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simpli

 0.3. Size:220K  inchange semiconductor
2sb546a.pdf

2SB546
2SB546

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB546ADESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -150V (Min)(BR)CEOCollector Power Dissipation-: P = 30W(Max)@ T = 25C CComplement to Type 2SD401AMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in line-operated color TV vertical deflectionof complement

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top