2SB546. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB546

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SB546

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB546 даташит

 ..1. Size:108K  mospec
2sb546 2sb546a.pdfpdf_icon

2SB546

A A A

 ..2. Size:199K  jmnic
2sb546.pdfpdf_icon

2SB546

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB546 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD401 Collector current IC=-2A Collector-base voltage VCBO=-200V APPLICATIONS For use in general purpose power amplifier,vertical output application PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplifi

 ..3. Size:215K  inchange semiconductor
2sb546.pdfpdf_icon

2SB546

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB546 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -150V (Min) (BR)CEO Collector Power Dissipation- P = 30W(Max)@ T = 25 C C Complement to Type 2SD401 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in line-operated color TV vertical deflection of complementar

Другие транзисторы: 2SB540, 2SB541, 2SB542, 2SB544, 2SB544D, 2SB544E, 2SB544F, 2SB544G, 2N3904, 2SB546A, 2SB547, 2SB547A, 2SB548, 2SB549, 2SB55, 2SB550, 2SB551