2SB547A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB547A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SB547A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB547A даташит

 8.1. Size:185K  inchange semiconductor
2sb547.pdfpdf_icon

2SB547A

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SB547 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -150V (Min) (BR)CEO Collector Power Dissipation- P = 30W(Max)@ T = 25 C C Complement to Type 2SD402 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in line-operated color TV vertical def

 9.1. Size:445K  sanyo
2sb544.pdfpdf_icon

2SB547A

 9.2. Size:134K  nec
2sb548 2sb549 2sd414 2sd415.pdfpdf_icon

2SB547A

DATA SHEET SILICON POWER TRANSISTOR 2SB548, 549/2SD414, 415 PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS FEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT mm) Ideal for audio amplifier drivers with 30 W to 50 W output High voltage Available for small mount spaces due to small and thin package Easy to be attached to radiators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25

Другие транзисторы: 2SB544, 2SB544D, 2SB544E, 2SB544F, 2SB544G, 2SB546, 2SB546A, 2SB547, C945, 2SB548, 2SB549, 2SB55, 2SB550, 2SB551, 2SB551H, 2SB552, 2SB553