Биполярный транзистор 2SB581 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2SB581
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO202
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам