2SB583. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB583

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3000

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2SB583

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB583 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2SB577, 2SB578, 2SB579, 2SB57A, 2SB58, 2SB580, 2SB581, 2SB582, D209L, 2SB584, 2SB585, 2SB586, 2SB587, 2SB588, 2SB589, 2SB59, 2SB595