2SB595O. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SB595O
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 270 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для 2SB595O
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SB595O даташит
2sb595.pdf
2SB595 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER TO-220 Complement to 2SD525 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -100 V Collector-Emitter Voltage VCEO -100 V Emitter-Base voltage VEBO -5 V Collector Current (DC) IC -5 A Collector Dissipation (Tc=25 PC 40 W Ju
2sb595.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB595 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD525 High breakdown voltage VCEO=-100V Low collector saturation volage VCE(sat)=-2.0V(Max) APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 30W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emi
2sb595.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB595 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage V = -2.0(V)(Max)@I = -4A CE(sat) C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -100V(Min) (BR)CEO Complement to Type 2SD525 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier applications. Recommended for 30W high-fidelity aud
Другие транзисторы: 2SB584, 2SB585, 2SB586, 2SB587, 2SB588, 2SB589, 2SB59, 2SB595, 2SC2240, 2SB595R, 2SB595Y, 2SB596, 2SB596O, 2SB596R, 2SB596Y, 2SB598, 2SB598D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44


