Биполярный транзистор 2SB596O - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB596O
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO220
2SB596O Datasheet (PDF)
2sb596.pdf
2SB596 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORLOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER TO-220 Complement to 2SD526ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)ACharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -80 V Collector-Emitter Voltage VCEO -80 V Emitter-Base voltage VEBO -5 V Collector Current (DC) IC -4 A Collector Dissipation (Tc=25 PC 30 W Junc
2sb596.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB596 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD526 Good linearity of hFE APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 2025W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute
st2sb596.pdf
ST 2SB596 PNP Epitaxial Silicon Power Transistor for power amplifier applications TO-220 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit80 VCollector Base Voltage -VCBO 80 VCollector Emitter Voltage -VCEO 5 VEmitter Base Voltage -VEBO 4 ACollector Current -IC 0.4 ABase Current -IB OPower Dissipation (Tc = 25 C) PC 30 WOJu
2sb596.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB596DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage:V = -1.7(V)(Max)@I = -3ACE(sat) CCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SD526Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applications.Recommended for 20~25W high-fidelity a
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050