2SB598F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB598F

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SB598F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB598F даташит

 9.1. Size:69K  wingshing
 2sb595.pdf pdf_icon

2SB598F

2SB595 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER TO-220 Complement to 2SD525 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -100 V Collector-Emitter Voltage VCEO -100 V Emitter-Base voltage VEBO -5 V Collector Current (DC) IC -5 A Collector Dissipation (Tc=25 PC 40 W Ju

 9.2. Size:69K  wingshing
 2sb596.pdf pdf_icon

2SB598F

2SB596 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER TO-220 Complement to 2SD526 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -80 V Collector-Emitter Voltage VCEO -80 V Emitter-Base voltage VEBO -5 V Collector Current (DC) IC -4 A Collector Dissipation (Tc=25 PC 30 W Junc

 9.3. Size:216K  jmnic
 2sb595.pdf pdf_icon

2SB598F

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB595 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD525 High breakdown voltage VCEO=-100V Low collector saturation volage VCE(sat)=-2.0V(Max) APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 30W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emi

 9.4. Size:235K  jmnic
 2sb596.pdf pdf_icon

2SB598F

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB596 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD526 Good linearity of hFE APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 20 25W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB595Y, 2SB596, 2SB596O, 2SB596R, 2SB596Y, 2SB598, 2SB598D, 2SB598E, 2SC828, 2SB598G, 2SB598NP, 2SB599, 2SB60, 2SB600, 2SB600K, 2SB601, 2SB603