Справочник транзисторов. 2SB611A

 

Биполярный транзистор 2SB611A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB611A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для 2SB611A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB611A Datasheet (PDF)

 8.1. Size:178K  inchange semiconductor
2sb611.pdfpdf_icon

2SB611A

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB611DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -110V(Min)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = -1.0V(Max.) @I = -5ACE(sat) CWide area of safe operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose switching a

 9.1. Size:207K  inchange semiconductor
2sb613.pdfpdf_icon

2SB611A

isc Silicon PNP Power Transistors 2SB613DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -250V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 150W(Max)@T =25C CHigh Current CapabilityComplement to Type 2SD583Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high power amplifier and switching applicatio

 9.2. Size:189K  inchange semiconductor
2sb616.pdfpdf_icon

2SB611A

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB616DESCRIPTIONCollector-Emitter BreakdownVoltage-: V = -100V(Min.)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = -1.0(Max.) @I = -2ACE(sat) CWith TO-3PN packageComplement to Type 2SD586Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amp

 9.3. Size:211K  inchange semiconductor
2sb612.pdfpdf_icon

2SB611A

isc Silicon PNP Power Transistors 2SB612DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -140V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 100W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SD582Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSRecommended for 80~100W audio amplifier output stage.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие транзисторы... 2SB607 , 2SB608 , 2SB608A , 2SB609 , 2SB609A , 2SB60A , 2SB61 , 2SB611 , AC125 , 2SB612 , 2SB612A , 2SB613 , 2SB615 , 2SB616 , 2SB616A , 2SB617 , 2SB617A .

History: MH8223 | 3DD4617H-M | 2SC5792 | TMPC1653N4 | TD367A | 2SC4435 | DTA114EN3

 

 
Back to Top

 


 
.