2SB631KE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB631KE

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 55 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2SB631KE

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB631KE даташит

 7.1. Size:220K  jmnic
 2sb631 2sb631k.pdf pdf_icon

2SB631KE

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB631 2SB631K DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SD600/K High breakdown voltage VCEO -100/-120V High current -1A Low saturation voltage,excellent hFE linearity APPLICATIONS For low-frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to

 7.2. Size:358K  lzg
 2sb631k 3ca631k.pdf pdf_icon

2SB631KE

2SB631K(3CA631K) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Low frequency power amplifier,medium speed switching applications . , 2SD600K(3DA600K) Features High V ,high current,low saturation voltage and good linearity of h compleme

 7.3. Size:178K  inchange semiconductor
 2sb631 2sb631k.pdf pdf_icon

2SB631KE

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB631 2SB631K DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SD600/K High breakdown voltage VCEO -100/-120V High current -1A Low saturation voltage,excellent hFE linearity APPLICATIONS For low-frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collecto

 7.4. Size:213K  inchange semiconductor
 2sb631k.pdf pdf_icon

2SB631KE

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB631K DESCRIPTION High Collector Current-I =-1.0A C High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V =-120V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Low Saturation Voltage Complement to Type 2SD600K Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB63, 2SB630, 2SB631, 2SB631D, 2SB631E, 2SB631F, 2SB631K, 2SB631KD, B772, 2SB631KF, 2SB632, 2SB632D, 2SB632E, 2SB632F, 2SB632K, 2SB632KD, 2SB632KE