2SB633C. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SB633C
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для 2SB633C
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SB633C даташит
2sb633p 2sd613p.pdf
Ordering number ENN6662 2SB633P/2SD613P PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SB633P / 2SD613P 85V / 6A, AF 35 to 45W Output Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage, VCEO 85V, unit mm high current 6A. 2010C AF 35 to 45W output. [2SB633P / 2SD613P] 10.2 4.5 3.6 5.1 1.3 1.2 0.8 0.4 1 Base 2 Collector 1 2 3 3 Emitter Spec
2sb633.pdf
JMnic Silicon PNP Power Transistors 2SB633 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD613 High breakdown voltage VCEO=-85V High current IC=-6A APPLICATIONS Recommend for 25-35W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute maximum ratings(Tc=2
2sb633.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB633 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -85V(Min) (BR)CEO Complement to Type 2SD613 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio frequency 25 35 watts output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -1
Другие транзисторы: 2SB632D, 2SB632E, 2SB632F, 2SB632K, 2SB632KD, 2SB632KE, 2SB632KF, 2SB633, 2SC2625, 2SB633D, 2SB633E, 2SB633F, 2SB633P, 2SB634, 2SB635, 2SB636, 2SB637
History: BTP8550BA3 | KRA117M | 2N2885 | KT837S1-IM
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350 | 2n3866



