2SB808 - описание и поиск аналогов

 

2SB808. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB808

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SB808

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB808 даташит

 9.1. Size:211K  nec
2sb800.pdfpdf_icon

2SB808

 9.2. Size:222K  nec
2sb804.pdfpdf_icon

2SB808

 9.3. Size:234K  nec
2sb805 2sb806.pdfpdf_icon

2SB808

 9.4. Size:1087K  kexin
2sb800.pdfpdf_icon

2SB808

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB800 1.70 0.1 Features High Collector to Emitter Voltage VCEO>-80V Complement to 2SD1001 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -80 Collector - Emitter Voltage VCEO -80 V Emitter - Base Voltage VEBO -5 Collector Curr

Другие транзисторы... 2SB805KK , 2SB805KL , 2SB805KM , 2SB806 , 2SB806KP , 2SB806KQ , 2SB806KR , 2SB807 , BD335 , 2SB808F , 2SB808G , 2SB81 , 2SB810 , 2SB811 , 2SB812 , 2SB812A , 2SB813 .

History: BCW70LT1G

 

 

 


 
↑ Back to Top
.