Справочник транзисторов. 2N1613B

 

Биполярный транзистор 2N1613B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N1613B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 75 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO5
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N1613B Datasheet (PDF)

 8.1. Size:665K  rca
 2n1613.pdf pdf_icon

2N1613B

 8.2. Size:51K  philips
 2n1613.pdf pdf_icon

2N1613B

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1112N1613NPN medium power transistor1997 Apr 11Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN medium power transistor 2N1613FEATURES PINNING Low current (max. 500 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 50 V).1 emitt

 8.3. Size:64K  central
 2n1613 2n1711 2n1893.pdf pdf_icon

2N1613B

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 8.4. Size:224K  cdil
 2n1613.pdf pdf_icon

2N1613B

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 2N1613TO-39Metal Can PackageABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSCollector Emitter Voltage (RBE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N160A , 2N161 , 2N1610 , 2N1611 , 2N1612 , 2N1613 , 2N1613-46 , 2N1613A , 2SD400 , 2N1613L , 2N1613S , 2N1614 , 2N1615 , 2N1616 , 2N1616-1 , 2N1616A , 2N1617 .

History: 2SA2113 | BC294 | 2SC2630 | 2SB1027 | BD355C | 2N634A

 

 
Back to Top

 


 
.