Биполярный транзистор 2SB840
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB840
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора:
TO220
Аналоги (замена) для 2SB840
2SB840
Datasheet (PDF)
9.1. Size:152K jmnic
2sb849.pdf JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB849 DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1110 Wide area of safe operation APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collec
9.2. Size:105K inchange semiconductor
2sb849a.pdf Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB849A DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1110A Wide area of safe operation APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALU
9.3. Size:192K inchange semiconductor
2sb848.pdf INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SB848DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -100V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFE100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency power amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETE
9.4. Size:122K inchange semiconductor
2sb849.pdf Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB849 DESCRIPTION With TO-3PFa package Complement to type 2SD1110 Wide area of safe operation APPLICATIONS For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Collector3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE
Другие транзисторы... 2SB836L
, 2SB837
, 2SB837L
, 2SB838
, 2SB838L
, 2SB839
, 2SB839L
, 2SB84
, 2N2222
, 2SB840L
, 2SB841
, 2SB841L
, 2SB842
, 2SB842L
, 2SB843
, 2SB844
, 2SB845
.